Supercritical nitrogen-enhanced interface control for high-frequency T-gate GaN HEMTs fabricated on 8-inch CMOS-compatible wafer

材料科学 跨导 光电子学 高电子迁移率晶体管 CMOS芯片 无线电频率 氮化镓 晶体管 薄脆饼 超临界流体 阈下传导 阈下摆动 微波食品加热 小型化 电极 射频功率放大器 射频开关 性能增强 带材弯曲 电子迁移率
作者
Po-Tsung Tu,Hsin‐Chu Chen,Sheng‐Yao Chou,Shengkai Chen,Yan-Chieh Chen,Cheng-Hsien Lin,Po‐Chun Yeh,J.‐I. Chyi,Ting‐Chang Chang,Po-Tsung Lee,Hao‐Chung Kuo
出处
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier BV]
卷期号:201: 110101-110101 被引量:4
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2025.110101
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