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Threshold voltage shift prediction for gate bias stress on amorphous InGaZnO thin film transistors

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作者
Suehye Park,Edward Namkyu Cho,Ilgu Yun
出处
期刊：Microelectronics Reliability [Elsevier]
日期：2012-07-31 卷期号：52 (9-10): 2215-2219 被引量：22
标识
DOI：10.1016/j.microrel.2012.07.005
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