热电效应
材料科学
兴奋剂
猝灭(荧光)
领域(数学分析)
凝聚态物理
光电子学
热力学
物理
光学
荧光
数学
数学分析
作者
Khasim Saheb Bayikadi,Chien‐Ting Wu,Li–Chyong Chen,Kuei-Hsien Chen,F. C. Chou,R. Sankar
摘要
An optimized two-step melt-quenching synthesis method is proposed for GeTe to show a highly reproducible high ZT ∼ 2.35 at 800 K (in Ge0.9Sb0.1Te) through simultaneous carrier concentration and microstructural control.
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