Studying the effect of temperature and pressure on GaN crystals via the Na-flux method

焊剂(冶金) 材料科学 通量法 热力学 化学工程 结晶学 化学 冶金 物理 单晶 工程类
作者
Benfa Wang,Lei Liu,Ge Tian,Guodong Wang,Jiaoxian Yu,Qiubo Li,Defu Sun,Xiangang Xu,Lei Zhang,Shouzhi Wang
出处
期刊:CrystEngComm [The Royal Society of Chemistry]
卷期号:26 (24): 3176-3184 被引量:2
标识
DOI:10.1039/d4ce00314d
摘要

GaN single crystals (15 × 15 mm) were epitaxially grown using the Na-flux method, and substrate self-peeling was achieved. The effect of temperature and pressure on the growth rate and the quality of GaN single crystals are investigated.
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