离子注入和固相外延制备Si1-x-yGexCy半导体薄膜

摘要 用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)生长了200nm的SiGe薄膜,然后将C离子注入SiGe层,经两步热退火处理制备了Si1-x-yGexCy三元合金半导体薄膜.应用卢瑟福背散射(RBS),傅里叶变换红外光谱(FTIR)和高分辨率x射线衍射(HRXRD)研究了薄膜的结构和外延特性.发现C原子基本处于替代位置,C原子的掺入缓解了SiGe层的压应变 关键词: Si1-x-yGexCy薄膜 / 离子注入 / 固相外延 Abstract Keywords: / / 作者及机构信息 刘雪芹, 王印月, 甄聪棉, 张静, 杨映虎, 郭永平 1. 兰州大学物理系,兰州730000 基金项目: 国家自然科学基金 (批准号 :698760 17)资助课题 Authors and contacts Liu Xue-Qin, Wang Yin-Yue, Zhen Cong-Mian, Zhang Jing, Yang Ying-Hu, Guo Yong-Ping 1. 兰州大学物理系,兰州730000 参考文献 施引文献