Improved transistor stability against hydrogen by fluorine doping in indium-gallium-zinc-oxide front and back channels

作者
Changjun No,Chang-Yun Na,Sungmin Cho
出处
期刊:Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier]
卷期号:202: 110147-110147
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2025.110147
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