In Situ Forming a 0D Inorganic Perovskite Capping Layer via a Surface Reconstruction Process for High-Performance Inorganic Perovskite Solar Cells

材料科学 钙钛矿(结构) 图层(电子) 原位 钙钛矿太阳能电池 溶解过程 化学工程 纳米晶 过程(计算) 纳米技术 光电子学 物理 气象学 计算机科学 工程类 操作系统
作者
Dongsheng Wang,Long Cheng,Hanqing Liu,Cheng Song,Guiqiang Wang,Fanning Meng
出处
期刊:ACS Applied Materials & Interfaces [American Chemical Society]
标识
DOI:10.1021/acsami.5c03592
摘要

Inorganic CsPbX3 perovskite solar cells have made great progress over the past several years. Nevertheless, the vulnerable surface of the CsPbX3 perovskite deteriorates the device stability and impedes the further development of the device performance. Herein, a surface reconstruction method is proposed to in situ construct a 0D Cs4PbI1.5Br4.5 capping layer on top of a 3D CsPbI1.5Br1.5 perovskite for simultaneously decreasing the surface defects and promoting the stability of the CsPbI1.5Br1.5 perovskite. It is found that constructing a 0D Cs4PbI1.5Br4.5 capping layer atop a 3D CsPbI1.5Br1.5 perovskite not only remarkably enhances the stability of the CsPbI1.5Br1.5 perovskite but also creates the favorable energy level for the interface charge separation. In addition, this surface reconstruction process causes the secondary crystallization of the CsPbI1.5Br1.5 perovskite, decreasing the perovskite defects and improving the perovskite quality. These favorable features result in a remarkable reduction of nonradiative recombination. As a result, the carbon-based CsPbI1.5Br1.5 device exhibits a promoted performance with a power conversion efficiency of up to 12.93%. In addition, the cell without any encapsulation maintains ∼94% the original efficiency after 1080 h aging under an ambient environment.
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