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Effect of substrate rotation speed on AlGaN nanowire deep ultraviolet light-emitting diodes by molecular beam epitaxy

材料科学 分子束外延 纳米线 光电子学 基质(水族馆) 发光二极管 二极管 紫外线 氮化镓 旋转(数学) 半导体 外延 纳米技术 图层(电子) 地质学 海洋学 数学 几何学
作者
Mohammad Fazel Vafadar,Rezoana Bente Arif,Qihua Zhang,Songrui Zhao
出处
期刊:Journal of vacuum science and technology [American Vacuum Society]
卷期号:41 (3) 被引量:1
标识
DOI:10.1116/6.0002494
摘要

Aluminum gallium nitride (AlGaN) nanowires by molecular beam epitaxy (MBE) have become an emerging platform for semiconductor deep ultraviolet (UV) light-emitting diodes (LEDs). Despite of the progress, much less attention has been paid to the effect of substrate rotation speed on the device performance. Herein, we investigate the effect of the substrate rotation speed on the nanowire height and diameter uniformity, as well as the electrical and optical performance of MBE-grown AlGaN nanowire deep UV LED structures with low and high substrate rotation speeds. It is found that by increasing the substrate rotation speed from 4 revolutions per minute (rpm) to 15 rpm, the statistical variation of the nanowire height and diameter is reduced significantly. Increasing the substrate rotation speed also improves the device electrical performance, with a factor of 4 reduction on the device series resistance. This improved electrical performance further transfers to the improved optical performance. The underlying mechanisms for these improvements are also discussed.

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