Study on transient electrical behavior of p-GaN HEMT under high-power microwave damage

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作者
Hongtao Wang,Tianlong Zhao,Zhiyuan Shang,Bosheng Wu,Tianyu Li,Jingyi Xiao,Changchun Chai
出处
期刊:Microelectronics Reliability [Elsevier BV]
卷期号:184: 116221-116221
标识
DOI:10.1016/j.microrel.2026.116221
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