Recombination effects and impurity segregation at grain boundaries in polycrystalline silicon

2014 Les propriétés de recombinaison des joints de grains ont été étudiées de façon quantitative dans du silicium polycristallin dopé et non dopé.Une nouvelle méthodologie appliquée à l'analyse des signaux EBIC permet de comparer entre eux les résultats obtenus sur différents échantillons.Le problème des effets des impuretés et des défauts étendus sur la collecte des porteurs est alors considéré.