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作者
Yi-Shan Lee,Yu‐Jia Chen,N. Naseem,Ping-Li Wu,Jin‐Wei Shi
出处
期刊：Conference on Lasers and Electro-Optics
日期：2020-01-01
卷期号：24: AF1I.8-AF1I.8
被引量：1
标识
DOI：10.1364/cleo_at.2020.af1i.8
摘要
We present novel InGaAs/InAlAs single photon avalanche diodes with dual multiplication layers, large active diameters (240µm), high detection efficiency (32%), record small jitter (35ps), and low afterpulsing (<1% at 2µs hold-off time) at nearly 200K.
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