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作者
N. Iwai,Masaki Wakaba,Masako Kobayakawa,Kazuaki Kiyota,T. Kurobe,Go Kobayashi,Tsunenobu Kimoto,S. Tamura,T. Mukaihara,N. Yokouchi,Hisayoshi Ishii,A. Kasukawa
标识
DOI：10.1109/islc.2012.6348323
摘要
We have fabricated high performance 1550nm both solitary lasers and the 12-channel arrayed DFB/SOA integrated widely tunable lasers with buried-heterostructure configuration in the AlGaInAs/InP system. An output power of 100mW was obtained for tunable lasers at 20°C.
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