Effect of Cu and Sm doping on the ferroelectric character of bismuth ferrite thin films

铋铁氧体 带隙 薄膜 材料科学 矫顽力 铁电性 兴奋剂 吸收边 电介质 化学 分析化学(期刊) 纳米技术 光电子学 凝聚态物理 冶金 多铁性 物理 色谱法
作者
A. Sathiya Priya,D. Geetha,J. Henry
出处
期刊:Phosphorus Sulfur and Silicon and The Related Elements [Taylor & Francis]
卷期号:197 (3): 158-163 被引量:8
标识
DOI:10.1080/10426507.2021.2012679
摘要

This report discusses the effect of substitution of copper (Cu) and samarium (Sm) at the Fe-site and Bi site respectively on structural, morphological, optical and ferroelectric properties of bismuth ferrite (BiFeO3) films. Pure and (Sm, Cu) co-doped perovskite BiFeO3 thin films were fabricated on fluorine doped tin oxide substrates by sol–gel assisted spin coating technique. The X-ray diffraction analysis revealed the rhombohedral structure of all the samples. This confirmed that no phase change occurred due to doping. The atomic force microscopy (AFM) images of the films present uniform distribution of grains. The UV–Vis spectra demonstrated increased absorption for the doped samples. The corresponding Tauc plots exposed reduction in the energy bandgap of the doped films. The ferroelectric studies exhibited significantly improved saturation polarization, remnant polarization and coercive field of the doped films. The reduced band gap in the visible region and enhanced ferroelectric behavior of (Sm, Cu) co-doped bismuth ferrite films favor their suitability in visible light photovoltaic applications.
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