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作者
Shu-Jian Chen,Zimin Chen,Weiqu Chen,Zeyuan Fei,Tiecheng Luo,Jun Liang,Xinzhong Wang,Gang Wang,Yanli Pei
出处
期刊：CrystEngComm
[The Royal Society of Chemistry]
日期：2023-01-01
卷期号：25 (19): 2871-2876
被引量：5
摘要
The influence of N 2 O as a precursor is investigated for ε-Ga 2 O 3 thin films grown under different conditions. The surface morphology and phase transition with the VI/III ratio were discussed based on the interplay of thermodynamic and kinetic effects.
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