4H-SiC MOSFET的温度特性研究

摘要 对4HSiCMOSFET的器件结构和温度特性进行了研究,总结了器件的结构参数对特性的影响,比较了不同温度下的输出特性以及饱和漏电流、阈值电压、跨导、导通电阻与温度的变化关系,模拟结果表明4HSiCMOSFET具有优异的温度特性,在800K下可以正常工作 关键词: 4H-SiC / MOSFET Abstract Keywords: / 作者及机构信息 徐昌发, 杨银堂, 刘莉 1. 西安电子科技大学微电子所,西安710071 基金项目: 国家自然科学基金 (批准号 :6 9976 0 2 3);教育部跨世纪优秀人才基金;国防科技预研基金资助的课题~~ Authors and contacts Xu Chang-Fa, Yang Yin-Tang, Liu Li 1. 西安电子科技大学微电子所,西安710071 参考文献 施引文献