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作者
Kunttal Keyshar,Yongji Gong,Gonglan Ye,Gustavo Brunetto,Wu Zhou,Daniel P. Cole,Ken Hackenberg,Yongmin He,Leonardo D. Machado,Mohamad A. Kabbani,Amelia H. C. Hart,Bo Li,Douglas S. Galvão,Antony George,Róbert Vajtai,Chandra Sekhar Tiwary,Pulickel M. Ajayan
标识
DOI：10.1002/adma.201501795
摘要
The direct synthesis of monolayer and multilayer ReS2 by chemical vapor deposition at a low temperature of 450 °C is reported. Detailed characterization of this material is performed using various spectroscopy and microscopy methods. Furthermore initial field-effect transistor characteristics are evaluated, which highlight the potential in being used as an n-type semiconductor.
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