Electric and thermal transport properties of topological insulator candidate LiMgBi*

磁电阻 塞贝克系数 凝聚态物理 拓扑绝缘体 热电效应 材料科学 电阻率和电导率 电场 饱和(图论) 半导体 磁场 热的 绝缘体(电) 热导率 拓扑(电路) 物理 光电子学 电气工程 工程类 热力学 数学 量子力学 组合数学 气象学 复合材料
作者
Hao OuYang,Qingxin Dong,Yifei Huang,Junsen Xiang,Libo Zhang,Chensheng Li,Peijie Sun,Zhi‐An Ren,Genfu Chen
出处
期刊:Chinese Physics B [IOP Publishing]
卷期号:30 (12): 127101-127101 被引量:6
标识
DOI:10.1088/1674-1056/ac009f
摘要

We report the transport properties of a topological insulator candidate, LiMgBi. The electric resistivity of the title compound exhibits a metal-to-semiconductor-like transition at around 160 K and tends to saturation below 50 K. At low temperatures, the magnetoresistance is up to ∼260 % at 9 T and a clear weak antilocalization effect is observed in the low magnetic-field region. The Hall measurement reveals that LiMgBi is a multiband system, where hole-type carriers ( n h ∼ 10 18 cm −3 ) play a major role in the transport process. Remarkably, LiMgBi possess a large Seebeck coefficient ∼440 μV/K) and a moderate thermal conductivity at room temperature, which indicate that LiMgBi is a promising candidate in thermoelectric applications.
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