氟化物
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作者
Stefan Günster,Manfred Dieckmann,Henrik Ehlers,Detlev Ristau
标识
DOI：10.1364/oic.2007.tub5
摘要
Fluoride materials deposited with conventional thermal evaporation techniques show a high tensile stress. The effect of stress compensation by inserting compressive silicon oxide layers into the tensile fluoride stack is investigated.
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