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Influence of Sulfurization Time on Sb2S3 Synthesis Using a New Graphite Box Design

石墨 材料科学 复合材料 工艺工程 工程类
作者
Sheyda Uc-Canché,E. Camacho-Espinosa,R. Mis-Fernández,M. Loeza-Poot,F. Ceh-Cih,Juan Luis Ruiz de la Peña
出处
期刊:Materials [Multidisciplinary Digital Publishing Institute]
卷期号:17 (7): 1656-1656 被引量:6
标识
DOI:10.3390/ma17071656
摘要

In recent years, antimony sulfide (Sb2S3) has been investigated as a photovoltaic absorber material due to its suitable absorber coefficient, direct band gap, extinction coefficient, earth-abundant, and environmentally friendly constituents. Therefore, this work proposes Sb2S3 film preparation by an effective two-step process using a new graphite box design and sulfur distribution, which has a high repeatability level and can be scalable. First, an Sb thin film was deposited using the RF-Sputtering technique, and after that, the samples were annealed with elemental sulfur into a graphite box, varying the sulfurization time from 20 to 50 min. The structural, optical, morphological, and chemical characteristics of the resulting thin films were analyzed. Results reveal the method’s effectivity and the best properties were obtained for the sample sulfurized during 40 min. This Sb2S3 thin film presents an orthorhombic crystalline structure, elongated grains, a band gap of 1.69 eV, a crystallite size of 15.25 Å, and a nearly stoichiometric composition. In addition, the formation of a p-n junction was achieved by depositing silver back contact on the Glass/FTO/CdS/Sb2S3 structure. Therefore, the graphite box design has been demonstrated to be functional to obtain Sb2S3 by a two-step process.
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