阈下摆动
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作者
Chanwoo Kang,Haeju Choi,Hyeonje Son,Taeho Kang,Sangmin Lee,Sungjoo Lee
出处
期刊：Nanoscale
[Royal Society of Chemistry]
日期：2023-01-01
卷期号：15 (12): 5771-5777
被引量：6
摘要
A steep switching transistor (subthreshold swing, SS ∼32.8 mV dec −1 ) with low dielectric injection efficiency (Δ I GS /Δ I DS ∼10 −6 is constructed by connecting an MoS 2 FET and a WSe 2 impact-ionisation based threshold switch.
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