Modeling of convective transport in crystallization of gallium nitride by basic ammonothermal method

过饱和度 结晶 氮化镓 对流 晶体生长 材料科学 氮化物 Crystal(编程语言) 机械 化学物理 热力学 化学 结晶学 纳米技术 冶金 物理 计算机科学 图层(电子) 程序设计语言
作者
Marek Żak,Paweł Kempisty,B. Łucznik,Karolina Grabiańska,Robert Kucharski,Małgorzata Iwińska,Michał Boćkowski
出处
期刊:Journal of Crystal Growth [Elsevier BV]
卷期号:627: 127525-127525 被引量:3
标识
DOI:10.1016/j.jcrysgro.2023.127525
摘要

The most important parameter affecting the surface morphology of the growing crystal and its structural quality is supersaturation at the crystallization front. In the case of ammonothermal growth of gallium nitride, supersaturation is fully related to convective mass transport. Due to technological limitations and extreme crystallization conditions it is problematic to obtain detailed information about the internal processes in the growth experiments, especially the convective flow. The solution to this problem is to use the Computational Fluid Dynamics method to model the processes occurring inside autoclaves. This paper presents a quantitative analysis of convective transport in a three-dimensional approximation during the ammonothermal crystallization of gallium nitride. ANSYS Academic Computational Fluid Dynamics simulation software was used. The simulation results obtained were referenced and compared with the experimental results: thickness and structural quality of the gallium nitride crystals.
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