Implicit solvation model for density-functional study of nanocrystal surfaces and reaction pathways

溶剂化 密度泛函理论 隐溶剂化 SN2反应 纳米晶 从头算 工作(物理) 化学物理 材料科学 化学 分子 纳米技术 计算化学 物理 热力学 立体化学 有机化学
作者
Kiran Mathew,Ravishankar Sundararaman,Kendra Letchworth‐Weaver,T. A. Arias,Richard G. Hennig
出处
期刊:Journal of Chemical Physics [American Institute of Physics]
卷期号:140 (8) 被引量:1057
标识
DOI:10.1063/1.4865107
摘要

Solid-liquid interfaces are at the heart of many modern-day technologies and provide a challenge to many materials simulation methods. A realistic first-principles computational study of such systems entails the inclusion of solvent effects. In this work, we implement an implicit solvation model that has a firm theoretical foundation into the widely used density-functional code Vienna ab initio Software Package. The implicit solvation model follows the framework of joint density functional theory. We describe the framework, our algorithm and implementation, and benchmarks for small molecular systems. We apply the solvation model to study the surface energies of different facets of semiconducting and metallic nanocrystals and the SN2 reaction pathway. We find that solvation reduces the surface energies of the nanocrystals, especially for the semiconducting ones and increases the energy barrier of the SN2 reaction.
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