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作者
Madhusudana Gopannagari,D. Amaranatha Reddy,Da Hong,K. Arun Joshi Reddy,D. Praveen Kumar,Hyun S. Ahn,Tae Kyu Kim
摘要
Introducing Fe-doped NiO X as hole-transport layer beneath the copper vacancies induced CuBi 2 O 4 photocathode facilitates efficient charge separation and transfer leading to remarkably enhanced photoelectrochemical performance.
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