Subthreshold behavior models for short-channel junctionless tri-material cylindrical surrounding-gate MOSFET

作者
Cong Li,Yiqi Zhuang,Ru Han,Gang Jin
出处
期刊:Microelectronics Reliability [Elsevier BV]
卷期号:54 (6-7): 1274-1281 被引量:18
标识
DOI:10.1016/j.microrel.2014.02.007

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