Hydrogen passivation for reduction of SiO2/Si interface state density using hydrocarbon-molecular-ion-implanted silicon wafers

钝化 光电子学 分析化学(期刊) 离子注入
作者
Ryosuke Okuyama,Takeshi Kadono,Ayumi Onaka-Masada,Akihiro Suzuki,Koji Kobayashi,Satoshi Shigematsu,Ryo Hirose,Yoshihiro Koga,Kazunari Kurita
出处
期刊:Japanese Journal of Applied Physics [Institute of Physics]
卷期号:59 (12): 125502- 被引量:2
标识
DOI:10.35848/1347-4065/abc3d8

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