Temperature-dependent characteristics of AlGaN/GaN FinFETs with sidewall MOS channel

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作者
Ki‐Sik Im,Hee‐Sung Kang,Do-Kywn Kim,Sindhuri Vodapally,Yohan Park,Jae‐Hoon Lee,Yong‐Tae Kim,S. Cristoloveanu,Jung‐Hee Lee
出处
期刊:Solid-state Electronics [Elsevier BV]
卷期号:120: 47-51 被引量:13
标识
DOI:10.1016/j.sse.2016.03.007
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