Electrical Step‐Edge Contact to a Topological Superconductor Candidate 2M‐WS 2

超导电性 凝聚态物理 接触电阻 无缝回放 拓扑(电路) 各向异性 马约拉纳 物理 格子(音乐) 电接点 费米能级 材料科学 金属 束缚态 不稳定性 拓扑绝缘体 邻近效应(电子束光刻) 费米面 量子隧道 表面状态 T对称 对称(几何) 电阻和电导 纳米尺度 望远镜 纳米线 拓扑缺陷
作者
Qikang Gan,Junwei Song,Hailing Guo,Yuqiang Fang,Xinyan Li,Han Gao,Yiwei Li,Dongdong An,YuJian Zhu,Yangchen He,Kenji Watanabe,Takashi Taniguchi,Yuzheng Guo,Qinghua Zhang,Lin Gu,Daniel A Rhodes,Zhongkai Liu,Lede Xian,Fuqiang Huang,Lei Wang
出处
期刊:Advanced Science [Wiley]
标识
DOI:10.1002/advs.202508242
摘要

Abstract A topological superconductor (TSC), characterized by a topologically nontrivial bulk state and protected gapless boundary states, is a promising platform for hosting Majorana bound states. However, many TSCs are environmentally sensitive, especially when thinned to 2D atomic layers. This instability poses a major challenge for integrating TSCs into electronic devices. Addressing it requires full encapsulation and high‐quality electrical contact to the TSC layer, which have not yet been achieved. Here, a novel contact geometry is demonstrated for an encapsulated topological superconductor candidate, 2M‐WS 2 , where metal electrodes contact the exposed step‐like edges with a width of only a few nanometers. This structure yields exceptionally low contact resistance ( R C ), down to ∼ 670 Ω·µm for a single unit and ∼ 65 Ω·µm for a six‐unit 2M‐WS 2 device. Below the superconducting critical temperature ( T C ), the TSC–metal interface becomes highly transparent, as evidenced by the Andreev reflection. Furthermore, the step‐edge contact prevents contamination during fabrication, enabling unprecedentedly high‐quality devices. In encapsulated 2M‐WS 2 , twofold rotational symmetry of the critical current ( I C ) and multiple anomalous peaks are observed in the differential resistance ( dV / dI ). The anisotropic I C originates from Fermi velocity variations along in‐plane lattice directions, while the anomalous peaks suggest multigap superconductivity in 2M‐WS 2 . These results reveal the intrinsic properties of 2M‐WS 2 and offer a new path toward high‐performance TSC‐based electronics.
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