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In situ preparation and determination of CeO2 high-index surface atomic structures

纳米晶材料 扫描透射电子显微镜 原位 材料科学 纳米晶 纳米技术 透射电子显微镜 密度泛函理论 氧化物 原子单位 化学物理 化学 计算化学 物理 冶金 有机化学 量子力学
作者
Chen Zou,Guanxing Li,Kai Zhang,Zhongkang Han,Ying Jiang,Wentao Yuan,Hangsheng Yang,Ze Zhang,Yong Wang
出处
期刊:Materials Today Nano [Elsevier]
卷期号:24: 100411-100411
标识
DOI:10.1016/j.mtnano.2023.100411
摘要

Understanding the properties regarding the high-index surfaces of the oxide nanocrystals is of great importance, but it remains challenging to obtain atomic-level information due to the lack of efficient preparation methods for high-index surfaces. Herein, we presented a work to in situ prepare and determine the intrinsic atomic structures of nanocrystalline CeO2 high-index surfaces via in situ spherical aberration (Cs)-corrected scanning transmission electron microscopy (STEM). By utilizing a reshaping process driven by the Wulff reconstruction, high-index surfaces of CeO2 nanocrystals including {210} {311}, and {533} were successfully prepared. Combined STEM with the density functional theory calculations, these high-index surface structures were determined with atomic precision, and interestingly {533} exhibited a unique atomic pit feature with low-coordinated Ce atoms exposure and unique electrical properties. This work has revealed new information about CeO2 high-index surfaces through experiments, enhancing our understanding of these surfaces, and also providing a new route for preparing high-index surfaces.

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