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作者
Jing Wang,Hongyu Wu,Tingting Hao,Jian Hao,Gang Wang
摘要
Sm–ZnCo 2 O 4 doping with different proportions of Sm doping produced oxygen vacancy defects, which improved the performance of the material. The specific capacitance retention of 3% Sm–ZnCo 2 O 4 //CNTs asymmetric solid-state devices was 95%.
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