硅基光电子学的最新进展

年 Intel 公司和加州大学联合研制成功了世界上首个 电泵浦连续激射硅基 III-V 族混合集成激光器 [10] ; 2007 年 Intel 公司将硅基电光调制器的 3 dB 带宽扩展 到 30 GHz, 实现了 40 Gbits/s 的信号传输, 达到商用 III-V 族和铌酸锂外调制器的水平 [11] ; 2008 年美国 Luxtera 公司向世人展示了世界上第一块在 130 nm CMOS 生产线上制造的硅基单片集成高速 CMOS 光 子收发模块, 采用 WDM 技术, 数据传输速率 4×10 Gbps [12] .2012 年阿尔卡特朗讯的 Bell 实验室的 Doerr