Modifying the native aluminum oxide layer by simple methods for fabricating write-once-read-many memory devices

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作者
B. Portillo-Rodríguez,J. D. Sánchez-Vásquez,M. Reyes‐Reyes,R. López‐Sandoval
出处
期刊:Journal of Materials Science: Materials in Electronics [Springer Science+Business Media]
卷期号:34 (14) 被引量:4
标识
DOI:10.1007/s10854-023-10597-2
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