Performance Analysis of AlN/GaN HEMTs on β-Ga2O3 Through Exploration of Varied Back Barriers: An Investigative Study for Advanced RF Power Applications

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作者
Rama Venkatesan,Rajeswari Manickam,Brindha Duraipandi,Krishnapriya Kottakkal Sugathan
出处
期刊:Journal of Electronic Materials [Springer Science+Business Media]
卷期号:53 (7): 3887-3900 被引量:6
标识
DOI:10.1007/s11664-024-11100-1
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