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作者
Hyungsu Jang,Hyeong Yong Lim,Chan Beom Park,Jongdeuk Seo,Jung Geon Son,Taehee Song,Jaehwi Lee,Yun Seop Shin,Jina Roe,Sang Kyu Kwak,Dong Suk Kim,Jin Young Kim
摘要
A facile method of Zn ion doping into Sn-based perovskite through a redox potential difference causes lattice strain relaxation, resulting in the enhancement of optoelectronic properties.
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