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作者
Hyungsu Jang,Hyeong Yong Lim,Chan Beom Park,Jongdeuk Seo,Jung Geon Son,Taehee Song,Jaehwi Lee,Yun Seop Shin,Jina Roe,Sang Kyu Kwak,Dong Suk Kim,Jin Young Kim
出处
期刊：Journal of materials chemistry. A, Materials for energy and sustainability
[The Royal Society of Chemistry]
日期：2023-01-01
卷期号：11 (20): 10605-10611
被引量：2
摘要
A facile method of Zn ion doping into Sn-based perovskite through a redox potential difference causes lattice strain relaxation, resulting in the enhancement of optoelectronic properties.
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