成核
外延
图层(电子)
材料科学
基质(水族馆)
化学气相沉积
光电子学
沉积(地质)
金属
金属有机气相外延
质量(理念)
化学工程
纳米技术
冶金
化学
有机化学
地质学
古生物学
哲学
工程类
认识论
海洋学
沉积物
作者
Yuan Li,Wenliang Wang,Xiaochan Li,Lihua Huang,Yulin Zheng,Xiwu Chen,Guoqiang Li
出处
期刊:CrystEngComm
[The Royal Society of Chemistry]
日期:2018-01-01
卷期号:20 (11): 1483-1490
被引量:31
摘要
A high-quality AlN epitaxial film has been grown on a Si(111) substrate by metal–organic chemical vapor deposition through designing the AlN nucleation layer.
科研通智能强力驱动
Strongly Powered by AbleSci AI