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Vapor–Solid Growth of High Optical Quality MoS2 Monolayers with Near-Unity Valley Polarization

单层 材料科学 极化(电化学) 光致发光 半导体 光电子学 Valleytronics公司 纳米电子学 蓝宝石 薄膜 纳米技术 过渡金属 光学 化学 物理 催化作用 激光器 生物化学 物理化学
作者
Sanfeng Wu,Chun-Ming Huang,Grant Aivazian,Joel Ross,David Cobden,Xiaodong Xu
出处
期刊:ACS Nano [American Chemical Society]
卷期号:7 (3): 2768-2772 被引量:394
标识
DOI:10.1021/nn4002038
摘要

Monolayers of transition metal dichalcogenides (TMDCs) are atomically thin direct-gap semiconductors with potential applications in nanoelectronics, optoelectronics, and electrochemical sensing. Recent theoretical and experimental efforts suggest that they are ideal systems for exploiting the valley degrees of freedom of Bloch electrons. For example, Dirac valley polarization has been demonstrated in mechanically exfoliated monolayer MoS2 samples by polarization-resolved photoluminescence, although polarization has rarely been seen at room temperature. Here we report a new method for synthesizing high optical quality monolayer MoS2 single crystals up to 25 microns in size on a variety of standard insulating substrates (SiO2, sapphire and glass) using a catalyst-free vapor-solid growth mechanism. The technique is simple and reliable, and the optical quality of the crystals is extremely high, as demonstrated by the fact that the valley polarization approaches unity at 30 K and persists at 35% even at room temperature, suggesting a virtual absence of defects. This will allow greatly improved optoelectronic TMDC monolayer devices to be fabricated and studied routinely.
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