Comparison of resistivity distribution in p-type and n-type SiC single crystals grown by the PVT method

电阻率和电导率 类型(生物学) 材料科学 分布(数学) 分析化学(期刊) 结晶学 光电子学 电气工程 数学 化学 数学分析 地质学 工程类 色谱法 古生物学
作者
Lingling Xuan,Zhouyu Tong,Sheng'ou Lu,Anqi Wang,Can Cui,Yuanchao Huang,Tianqi Deng,Xiaodong Pi,Deren Yang,Xuefeng Han
出处
期刊:CrystEngComm [Royal Society of Chemistry]
卷期号:27 (34): 5761-5768 被引量:3
标识
DOI:10.1039/d5ce00597c
摘要

Axial resistivity of p-type and n-type 4H–SiC crystals grown by the PVT method.
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