12英寸导电型碳化硅单晶衬底的制备与表征（特邀）

采用物理气相传输（PVT）法扩径获得了12英寸4H-SiC籽晶，用于12英寸导电型4H-SiC晶体的生长，并通过激光切割、减薄和抛光等标准半导体加工流程，加工出了厚度为560 μm的12英寸4H-SiC衬底。使用拉曼光谱仪、全自动显微镜（面扫描）、非接触电阻率测试仪（面扫描）、高分辨X射线衍射仪和位错检测仪对衬底的晶型、微管、电阻率、结晶质量和位错密度/形貌进行表征。结果表明：衬底中4H-SiC晶型的面积占比为100%，衬底的微管密度小于0.01 cm-2，衬底电阻率为20.5~23.6 mΩ·cm（平均值为22.8 mΩ·cm），（004）衍射面上5个点的高分辨X射线摇摆曲线的半峰全宽均值为20.8″，衬底上螺位错的密度为2 cm-2。综上，12英寸导电型4H-SiC衬底质量优良。