High bias stability of Hf-doping-modulated indium oxide thin-film transistors

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作者
Wenwu Li,Caifang Gao,Xifeng Li,Jiayan Yang,Jianhua Zhang,Junhao Chu
出处
期刊:Microelectronic Engineering [Elsevier BV]
卷期号:286: 112142-112142 被引量:5
标识
DOI:10.1016/j.mee.2024.112142
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