Performance Assessment of a New Radiation Microsensor Based 4H-SiC trench MOSFET: A Simulation Study

材料科学 剂量计 MOSFET 光电子学 阈值电压 吸收剂量 晶体管 辐射 沟槽 场效应晶体管 电压 光学 电气工程 纳米技术 物理 工程类 图层(电子)
作者
Jaya Madan,Khalil Tamersit,Kulbhushan Sharma,Anjan Kumar,Rahul Pandey
出处
期刊:Silicon [Springer Nature]
卷期号:15 (2): 1115-1121 被引量:6
标识
DOI:10.1007/s12633-022-02084-w

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