Atomic level termination for passivation and functionalisation of silicon surfaces

钝化 材料科学 纳米技术 光电子学 图层(电子)
作者
Nicholas E. Grant,Alex I. Pointon,Richard Jefferies,Daniel Hiller,Yisong Han,Richard Beanland,Marc Walker,John D. Murphy
出处
期刊:Nanoscale [The Royal Society of Chemistry]
卷期号:12 (33): 17332-17341 被引量:32
标识
DOI:10.1039/d0nr03860a
摘要

The termination of silicon surfaces is studied from the nanometre to the centimetre scale, with differences in behaviour between hydrogen and fluorine terminated surfaces persisting after some subsequent surface passivation treatments.
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