哈夫尼亚
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作者
Dong Jae Shin,Anton V. Ievlev,Karsten Beckmann,Jingxian Li,Pengyu Ren,Nathaniel C. Cady,Yiyang Li
出处
期刊：Materials horizons
[Royal Society of Chemistry]
日期：2024-01-01
卷期号：11 (10): 2372-2381
被引量：8
摘要
We quantified the oxygen tracer diffusion in amorphous hafnium oxide thin films. These tracer diffusion values are consistent with the experimentally measured retention times of hafnium oxide resistive memory devices.
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