Evaluating the Effect of Oxygen Vacancies on the Oxygen Evolution Reaction (OER) Activity of LaNiO 3

拉尼奥 析氧 氧气 化学 材料科学 物理化学 有机化学 电极 光电子学 电化学 铁电性 电介质
作者
Chuanmu Tian,Danni Wang,Kelvin H. L. Zhang,Jan P. Hofmann
出处
期刊:Langmuir [American Chemical Society]
卷期号:41 (13): 8565-8573 被引量:8
标识
DOI:10.1021/acs.langmuir.4c04833
摘要

In this work, we have investigated the effect of oxygen vacancies on the surface composition, electronic structure, and oxygen evolution reaction (OER) performance of LaNiO3. The results show that the OER performance of LaNiO3 can be improved both by decreasing the oxygen partial pressure during film growth and annealing the thin film in a H2 atmosphere. X-ray photoemission spectroscopy (XPS) shows a significant increase in the Ni:La ratio on the LaNiO3 surface after the introduction of oxygen defects, especially after H2 treatment, where the Ni:La ratio reaches 3.5:1. The presence of oxygen vacancies leads to the aggregation of Ni on the surface of LaNiO3, which plays a crucial role in enhancing the OER performance of LaNiO3. In addition, the OER activity of both LaNiO3 and oxygen vacancy rich LaNiO3 decreases upon cyclic voltammetry (CV) between 1.0 and 1.5 V versus the RHE with an increase in the cycle number. XPS results reveal that the CV treatments lead to a decrease in the Ni concentration at the LaNiO3 surface, which is an important factor for the decrease in the OER performance of LaNiO3 as well as oxygen vacancy rich LaNiO3.
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