A new analytical high frequency noise parameter model for AlGaN/GaN HEMT

高电子迁移率晶体管 噪音(视频) 电阻抗 光电子学 材料科学 噪声频谱 电子工程 物理 计算机科学 声学 电气工程 晶体管 工程类 降噪 电压 人工智能 图像(数学)
作者
Xiaoxu Cheng,Yan Wang
出处
期刊:Solid-state Electronics [Elsevier BV]
卷期号:54 (11): 1300-1303 被引量:8
标识
DOI:10.1016/j.sse.2010.04.045
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