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作者
Haoxiang Zhu,M. Ramsteiner,H. Kostial,M. Wassermeier,H.-P. Schönherr,K. Ploog
标识
DOI：10.1103/physrevlett.87.016601
摘要
Injection of spin polarized electrons from a metal into a semiconductor is demonstrated for a GaAs/(In,Ga)As light emitting diode covered with Fe. The circular polarization degree of the observed electroluminescence reveals a spin injection efficiency of 2%. The underlying injection mechanism is explained in terms of a tunneling process.
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