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作者
Yasuo Kunii,Yoshiya Inokuchi,Jie Wang,Katsuhiko Yamamoto,Atsushi Moriya Moriya,Yoshiaki Hashiba,Harushige Kurokawa,Junichi Murota
出处
期刊:ECS transactions
[The Electrochemical Society]
日期:2006-10-20
卷期号:3 (7): 841-847
被引量:4
摘要
Si/SiGe selective epitaxial growth is becoming a critical process step for ULSI fabrication on 65nm and beyond technologies with need for elevated source-drain or strained Si channel to enhance device performance. This paper reviews recent efforts to improve batch-type epitaxial reactors for high-volume device fabrication and shows recent progress in low-temperature Si/SiGe selective epi process.
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