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Ferroelectric switching behavior in GaN HEMTs with CMOS-compatible Hf0.5Zr0.5O2/Al2O3 dielectric layer

材料科学 电介质 铁电性 光电子学 图层(电子) 非易失性存储器 纳米技术
作者
Fang Ye,Sitong Chen,Tian Luo,Ge Gao,Ji Li,Fanping Meng,Li Chen,Wei Guo,Jichun Ye
出处
期刊:Applied Surface Science [Elsevier BV]
卷期号:705: 163556-163556 被引量:4
标识
DOI:10.1016/j.apsusc.2025.163556
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