Scalability comparison between raised- and embedded-SiGe source/drain structures for Si 0.55 Ge 0.45 implant free quantum well pFET

可扩展性 光电子学 材料科学 量子 计算机科学 物理 量子力学 操作系统
作者
Shimpei Yamaguchi,L. Witters,Jérôme Mitard,Geert Eneman,Geert Hellings,Andriy Hikavyy,Roger Loo,Naoto Horiguchi
出处
期刊:Microelectronics Reliability [Elsevier BV]
卷期号:83: 157-161 被引量:1
标识
DOI:10.1016/j.microrel.2018.03.006
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