Incorporation of hydrogen‐bonding units into polymeric semiconductors toward boosting charge mobility, intrinsic stretchability, and self‐healing ability

共轭体系 材料科学 聚合物 氢键 纳米技术 晶体管 侧链 电子迁移率 光电子学 化学 分子 有机化学 复合材料 电压 电气工程 工程类
作者
Xiaobo Yu,Li Cheng,Chenying Gao,Xi‐Sha Zhang,Guanxin Zhang,Deqing Zhang
出处
期刊:SmartMat [Wiley]
卷期号:2 (3): 347-366 被引量:40
标识
DOI:10.1002/smm2.1062
摘要

Abstract The soft nature has endowed conjugated polymers with promising applications in a wide range of field‐effect transistor (FET) based flexible electronics. With unremitting efforts on revealing the molecular structure–property relationships, numerous novel conjugated polymers with high mobility and excellent mechanical property have been developed in the past decades. Incorporating hydrogen‐bonding (H‐bonding) units into semiconducting polymers is one of the most successful strategies for designing high‐performance semiconducting materials. In this review, we aim to highlight the roles of H‐bonding units in the performances of polymeric FETs from three aspects. These include (i) charge mobility enhancement for semiconducting polymers after incorporation of H‐bonding units into the side chains, (ii) the effects of H‐bonding units on the stretchability of conjugated polymers, and (iii) the improvement of self‐healing properties of conjugated polymers containing dynamic hydrogen bonds due to the H‐bonding units in the side chains or conjugated backbones.
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