PROBLEMES LIES A LA REALISATION PAR EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE DE LASERS A RUBAN ENTERRE In1-xGaxAsyP1-y (λ = 1,3 µm et 1,5 µm) DE FAIBLE LARGEUR (1 à 3 µm)

La realisation par epitaxie en phase liquide de diodes laser a faible courant de seuil (≈ 20 mA), a faible etendue de champ proche (2 a 3 µm) et emettant dans la plage 1,3 µm - 1,6 µm demande la realisation de structures ruban presentant un effet de guidage par saut d'indice. De telles structures peuvent etre efficacement realisees par des techniques d'epitaxie en phase liquide en deux etapes : epitaxie d'une double heterojonction a faible densite de courant de seuil, reprise d' epitaxie localisee, apres gravure chimique du ruban, de murs bloquants destines au confinement lateral du courant et au guidage dans le plan de jonction.