Top-gate thin-film transistors with amorphous ZnSnO channel layers prepared by pulsed plasma deposition

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作者
Lan Yue,Fanxin Meng
出处
期刊:Solid-state Electronics [Elsevier BV]
卷期号:216: 108931-108931 被引量:3
标识
DOI:10.1016/j.sse.2024.108931
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